半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 福田和久; 笹冈千秋; 多田健太郎; 五十岚俊昭; 宫坂文人; 小松启郎 |
| 发表日期 | 2010-02-10 |
| 专利号 | CN101645578A |
| 著作权人 | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器 |
| 英文摘要 | 提供一种半导体激光器，可抑制高输出长时间驱动时共振器端面的端面保护膜的膜剥离，并且COD耐性强，输出高且寿命长。上述半导体激光器，从活性层(5)的端面射出激光，具有保护膜(20)，其设置在射出激光的端面上，并且由单层或多层的电介质膜构成。保护膜(20)中的氢浓度分布大致均匀。活性层(5)由包含Ga作为构成元素的III族氮化物半导体构成。保护膜(20)由至少与活性层(5)的端面直接接触的第一保护膜(21)和与第一保护膜(21)接触的第二保护膜(22)构成。第一保护膜(21)的氢浓度与第二保护膜(22)的氢浓度之比为0.5以上且2以下。 |
| 公开日期 | 2010-02-10 |
| 申请日期 | 2009-08-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85472]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福田和久,笹冈千秋,多田健太郎,等. 半导体激光器. CN101645578A. 2010-02-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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