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半导体激光器

文献类型:专利

作者福田和久; 笹冈千秋; 多田健太郎; 五十岚俊昭; 宫坂文人; 小松启郎
发表日期2010-02-10
专利号CN101645578A
著作权人恩益禧电子股份有限公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光器
英文摘要提供一种半导体激光器,可抑制高输出长时间驱动时共振器端面的端面保护膜的膜剥离,并且COD耐性强,输出高且寿命长。上述半导体激光器,从活性层(5)的端面射出激光,具有保护膜(20),其设置在射出激光的端面上,并且由单层或多层的电介质膜构成。保护膜(20)中的氢浓度分布大致均匀。活性层(5)由包含Ga作为构成元素的III族氮化物半导体构成。保护膜(20)由至少与活性层(5)的端面直接接触的第一保护膜(21)和与第一保护膜(21)接触的第二保护膜(22)构成。第一保护膜(21)的氢浓度与第二保护膜(22)的氢浓度之比为0.5以上且2以下。
公开日期2010-02-10
申请日期2009-08-06
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85472]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位恩益禧电子股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
福田和久,笹冈千秋,多田健太郎,等. 半导体激光器. CN101645578A. 2010-02-10.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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