一种半导体激光器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 周坤; 唐淳; 高松信; 马毅; 仁怀瑾; 李弋; 杜维川; 杨小波; 谭昊; 孟慧成 |
| 发表日期 | 2017-04-26 |
| 专利号 | CN106602404A |
| 著作权人 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种半导体激光器及其制作方法，该方案包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层；该方案在低光损耗的n型部分设置一个非对称的厚波导，并在激光器芯片后腔面蒸镀高反膜，前腔面蒸镀抗反射膜，然后在出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜，利用包含多量子阱有源区的第二波导与第一波导的耦合，实现第一波导处的出射光斑的圆对称分布。 |
| 公开日期 | 2017-04-26 |
| 申请日期 | 2016-12-30 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85475]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周坤,唐淳,高松信,等. 一种半导体激光器及其制作方法. CN106602404A. 2017-04-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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