面発光型半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮本 育昌 |
| 发表日期 | 2010-08-06 |
| 专利号 | JP4561042B2 |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】メサ構造あるいはポスト構造を外部から保護することができる、VCSELを提供する。 【解決手段】ポスト構造を有する選択酸化型の面発光型半導体レーザは以下の構成を有する。表面に下部半導体多層反射膜12を含むGaAs基板10と、基板上に形成されたポスト構造20と、基板上に形成される複数の離間された突出部30、31、32とを含み、複数の突出部30、31、32は、ポスト構造20と同程度の高さを有する。好ましくは、ポスト構造20と複数の突出部は、同一の半導体層を含み、かつ、ポスト構造と複数の突出部との上面が実質的に同一の高さである。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2010-10-13 |
| 申请日期 | 2003-04-11 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85481]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮本 育昌. 面発光型半導体レーザおよびその製造方法. JP4561042B2. 2010-08-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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