半导体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 元田隆; 小野健一 |
| 发表日期 | 1997-09-10 |
| 专利号 | CN1159084A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 本发明旨在防止在势阱层与势垒层的界面上发生位错等晶格缺陷。本发明中，势阱层通过由Ga0.56In0.44P构成的主要区域和在从该区域到势阱层与势垒层的界面之间为了使其变形从-0.5％逐渐地变化为-0.1％而由组成逐渐变化的GaInP构成的过渡区域构成，另外，势垒层通过由(Al0.5Ga0.5)0.452In0.548P构成的主要区域和在从该区域到势垒层与势阱层界面之间为了使其变形从+0.4％逐渐地变化为-0.1％而由组成逐渐变化的AlGaInP构成的过渡区域构成。 |
| 公开日期 | 1997-09-10 |
| 申请日期 | 1996-12-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85494]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 元田隆,小野健一. 半导体激光装置. CN1159084A. 1997-09-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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