半导体激光元件
文献类型：专利
| 作者 | 和田一彦; 宫嵜启介; 森本泰司; 辰巳正毅; 上田祯亮 |
| 发表日期 | 2005-12-07 |
| 专利号 | CN1705178A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光元件 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光元件及其制造方法，该半导体激光元件中，在p型GaAs盖层的层厚和p型AlXGa1－XAs(X=0.550)第二包层的层厚相加的层厚与p型GaAs盖层的层厚和p型AlGaInP第二上包层的层厚相加的层厚的比跟干蚀刻p型GaAs盖层以及p型AlXGa1－XAs(X=0.550)第二包层时的蚀刻速率与干蚀刻p型GaAs盖层以及p型AlGaInP第二上包层时的蚀刻速率的比大致相同。 |
| 公开日期 | 2005-12-07 |
| 申请日期 | 2005-06-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85511]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 和田一彦,宫嵜启介,森本泰司,等. 半导体激光元件. CN1705178A. 2005-12-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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