氮化物半导体发光芯片、其制造方法以及半导体光学装置
文献类型：专利
| 作者 | 神川刚; 太田征孝 |
| 发表日期 | 2010-09-29 |
| 专利号 | CN101847823A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体发光芯片、其制造方法以及半导体光学装置 |
| 英文摘要 | 氮化物半导体发光芯片、其制造方法以及半导体光学装置。因为EL发射图案得到改进，氮化物半导体发光芯片的发光效率得到增强。氮化物半导体激光器芯片100(氮化物半导体发光芯片)含具有主生长面10a的氮化物半导体基板10以及在氮化物半导体基板10的主生长面10a上生长的氮化物半导体层11至18。GaN基板10的主生长面10a是相对于m面在a和c轴方向都具有偏角的面，而且在a轴方向的偏角大于在c轴方向的偏角。 |
| 公开日期 | 2010-09-29 |
| 申请日期 | 2010-03-29 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85524]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神川刚,太田征孝. 氮化物半导体发光芯片、其制造方法以及半导体光学装置. CN101847823A. 2010-09-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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