采用石墨烯进行电极搭桥的面发射激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 孙玉润; 董建荣; 何洋; 宋焱; 赵勇明; 于淑珍 |
| 发表日期 | 2017-05-03 |
| 专利号 | CN106611934A |
| 著作权人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 采用石墨烯进行电极搭桥的面发射激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种采用石墨烯进行电极搭桥的面发射激光器(VCSEL)及其制备方法。所述面发射激光器的出光端面上分布有石墨烯桥接层，所述石墨烯桥接层连续覆盖出光端面电极、隔离槽和出光端面外接电极，且所述石墨烯桥接层还与出光端面电极以及出光端面外接电极电性接触而共同形成所述激光器的上表面电极。本发明通过采用石墨烯材料作为桥接层，其具有优异柔韧性，不易断裂，能有效避免VCSEL隔离槽上电极金属容易断裂的问题，提高了激光器的稳定性，同时其还具有导电性好、透光性好等优点，能有效减少对器件发光的吸收，进一步提升激光器性能，还可大幅降低器件生产成本。本发明采用的VCSEL制备工艺与传统III‑V族制作工艺兼容，工艺流程简单易于实施。 |
| 公开日期 | 2017-05-03 |
| 申请日期 | 2015-10-21 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85536]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙玉润,董建荣,何洋,等. 采用石墨烯进行电极搭桥的面发射激光器及其制备方法. CN106611934A. 2017-05-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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