氮化物类半导体发光二极管、氮化物类半导体激光元件及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 广山良治; 三宅泰人; 久纳康光; 别所靖之; 畑雅幸 |
| 发表日期 | 2013-07-10 |
| 专利号 | CN103199433A |
| 著作权人 | 未来之光有限责任公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物类半导体发光二极管、氮化物类半导体激光元件及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种氮化物类半导体激光元件，其特征在于，包括：氮化物类半导体元件层，其形成于基板的主表面上，且具有发光层；第一共振器端面，其形成于所述氮化物类半导体元件层的包含所述发光层的端部；和反射面，其形成于与所述第一共振器端面相对的区域，至少由相对于所述主表面倾斜规定角度而延伸的（000－1）面、或{A+B、A、－2A－B、2A+B}面构成，在此，A≧0以及B≧0，且A和B中至少任一个是不为0的整数。 |
| 公开日期 | 2013-07-10 |
| 申请日期 | 2008-12-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85556]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 未来之光有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 广山良治,三宅泰人,久纳康光,等. 氮化物类半导体发光二极管、氮化物类半导体激光元件及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法. CN103199433A. 2013-07-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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