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半导体激光装置及其制造方法

文献类型:专利

作者大野启; 长谷川义晃; 杉浦胜己
发表日期2009-10-28
专利号CN101569068A
著作权人松下电器产业株式会社
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光装置及其制造方法
英文摘要本发明公开了一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置包括半导体层叠层体(12),该半导体层叠层体(12)具有沿与谐振器端面交叉的方向延伸且呈脊形条状的脊形波导部(12a)。在半导体层叠层体(12)上形成有覆盖脊形波导部(12a)的两侧面中的至少一部分的介电体层(16)。在半导体层叠层体(12)上的脊形波导部(12a)的两侧,与脊形波导部(12a)及谐振器端面互相留有间隔地形成有吸光层(17)。
公开日期2009-10-28
申请日期2008-11-12
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85564]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下电器产业株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
大野启,长谷川义晃,杉浦胜己. 半导体激光装置及其制造方法. CN101569068A. 2009-10-28.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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