半导体激光器装置
文献类型：专利
| 作者 | 伊集院诚司; 平田照二; 小笠原敦 |
| 发表日期 | 1998-08-19 |
| 专利号 | CN1190809A |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器装置 |
| 英文摘要 | 通过使在半导体激光器的光学谐振腔的后端表面的反射Rr尽可能地大,能够获得减小的阈电流、较低的消耗功率等等。在安置半导体激光器(13)的底座(21)上形成用来控制半导体激光器(13)的输出的监视光电探测器(11)。使光电探测器(11)安置在上述的半导体激光器(13)放射主光束的端表面的前头。 |
| 公开日期 | 1998-08-19 |
| 申请日期 | 1998-01-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85573]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊集院诚司,平田照二,小笠原敦. 半导体激光器装置. CN1190809A. 1998-08-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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