单模光子晶体垂直腔面发射激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 渠红伟; 张冶金; 张建心; 刘磊 ; 齐爱谊; 王海玲; 马绍栋; 石岩; 郑婉华
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| 发表日期 | 2013-05-15 |
| 专利号 | CN103107482A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 单模光子晶体垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种单模光子晶体垂直腔面发射激光器及其制备方法。该单模光子晶体垂直腔面发射激光器，利用透明导电层透光和导电特性，使得电流均匀的注入有源区，从而解决了电流注入问题，提高了单模输出功率。 |
| 公开日期 | 2013-05-15 |
| 申请日期 | 2013-01-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85574]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渠红伟,张冶金,张建心,等. 单模光子晶体垂直腔面发射激光器及其制备方法. CN103107482A. 2013-05-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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