半导体激光元件以及使用该半导体激光元件的近场光射出装置
文献类型：专利
| 作者 | 谷健太郎; 川上俊之; 有吉章 |
| 发表日期 | 2015-08-19 |
| 专利号 | CN104854766A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光元件以及使用该半导体激光元件的近场光射出装置 |
| 英文摘要 | 半导体激光元件(40)具备：由半导体构成的基板(41)；层叠在基板(41)上并包含活性层(42e)的半导体层叠膜(42)；相对于基板(41)在形成有半导体层叠膜(42)一侧的与活性层(42e)平行的面设置的第1电极(47)以及第2电极(48)；和设置在与活性层(42e)垂直的相对置的两端面(40a、40b)的端面保护膜(55)，在半导体激光元件(40)中，将形成端面保护膜(55)的一个端面(40a)作为半导体激光元件(40)的固定面使用。 |
| 公开日期 | 2015-08-19 |
| 申请日期 | 2014-08-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85582]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谷健太郎,川上俊之,有吉章. 半导体激光元件以及使用该半导体激光元件的近场光射出装置. CN104854766A. 2015-08-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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