氮基半导体激光器件和其生产方法
文献类型：专利
| 作者 | 山口恭司; 小林高志; 小林俊雅; 喜岛悟; 富冈聪; 安斋信一; 东条刚 |
| 发表日期 | 2003-11-19 |
| 专利号 | CN1457539A |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮基半导体激光器件和其生产方法 |
| 英文摘要 | 氮基半导体激光器件(10)具有一种依次堆叠放置的第一接触层(14)，第一包覆层(16)，有源层(20)，第二包覆层(24)，第二接触层(26)和第二电极(30)的结构。第二包覆层(24)包括一个下层(24A)和上层(24B)，第一包覆层(14)，有源层(20)和第二包覆层的下层(24A)具有台面结构，第二包覆层的上层(24B)和第二接触层(26)具有脊形结构。在对应于台面结构的顶表面的第二包覆层的下层的一部分上形成绝缘层(40)，绝缘层(40)至少部分覆盖第二包覆层的上层(24B)的对侧面，另外，从绝缘层(40)的顶表面到第二电极(30)的顶表面上形成金属层(42)，金属层(42)具有和台面结构基本相同的宽度。 |
| 公开日期 | 2003-11-19 |
| 申请日期 | 2002-02-28 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85603]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口恭司,小林高志,小林俊雅,等. 氮基半导体激光器件和其生产方法. CN1457539A. 2003-11-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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