半导体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 秋山知之; 菅原充 |
| 发表日期 | 2012-07-18 |
| 专利号 | CN101743670B |
| 著作权人 | QD激光公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体激光器及半导体激光器的制造方法，该半导体激光器具有：下部包层(12)，其具有第一导电型；活性层(14)，其设置在该下部包层(12)上，具有多个量子点；以及上部包层(18)，其是设置在活性层(14)上的孤立的脊部(30)，并具有第二导电型，在设脊部(30)的上表面的宽度为Wtop，设离所述脊部(30)的下表面的高度为50nm处的所述脊部(30)的宽度为W1时，W1≤Wtop+0.4μm。 |
| 公开日期 | 2012-07-18 |
| 申请日期 | 2008-06-09 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85605]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | QD激光公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秋山知之,菅原充. 半导体激光器及其制造方法. CN101743670B. 2012-07-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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