用分子束外延工艺制备Ⅱ型量子阱的方法及设备
文献类型：专利
| 作者 | 冀子武; 郑雨军; 赵雪琴; 李炳生; 徐现刚 |
| 发表日期 | 2009-09-23 |
| 专利号 | CN101538700A |
| 著作权人 | 山东大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用分子束外延工艺制备Ⅱ型量子阱的方法及设备 |
| 英文摘要 | 用分子束外延工艺制备II型量子阱的方法及设备，在衬底上生长缓冲层、隔离层、势阱层、势垒层、势阱层、隔离层及覆盖层；使用的设备为双生长室分子束外延系统，包括III－V族和II－VI族两个生长室。每个均带有固体源蒸发器、五维可调样品架、四极质谱仪以及反射式高能电子衍射仪等；两生长室之间用超高真空传输管道连接以便样品的传送；超高真空传输管道备有抽气装置，且与两端所连接的两个生长室分别用插板阀隔开；样品架和固体源蒸发器都分别接有加热丝。本发明可用于光通信、量子信息存储和处理及半导体激光器等光电器件领域。 |
| 公开日期 | 2009-09-23 |
| 申请日期 | 2009-04-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85623]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冀子武,郑雨军,赵雪琴,等. 用分子束外延工艺制备Ⅱ型量子阱的方法及设备. CN101538700A. 2009-09-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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