一种半导体激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 姚南; 赵懿昊; 刘素平; 马骁宇 |
| 发表日期 | 2015-03-25 |
| 专利号 | CN104466671A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器，所述半导体激光器由下至上依次包括：衬底、材料生长缓冲层、N型包层、有源区、P型包层和电极接触层，其中：有源区为量子阱区；半导体激光器的两端形成有光非吸收窗口，其中，光非吸收窗口的宽度为50～100μm，深度至少大于电极接触层、P型包层以及有源区的厚度之和。本发明同时还公开了一种半导体激光器的制备方法。本发明通过在激光器腔面上形成光非吸收窗口来提高半导体激光器的输出功率。 |
| 公开日期 | 2015-03-25 |
| 申请日期 | 2014-12-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85637]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姚南,赵懿昊,刘素平,等. 一种半导体激光器及其制备方法. CN104466671A. 2015-03-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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