磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 杨涛; 许峰; 罗帅; 高凤; 季海铭 |
| 发表日期 | 2016-08-03 |
| 专利号 | CN105826814A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法 |
| 英文摘要 | 一种磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法，包括如下步骤：在磷化铟基外延片P面接触层上进行光刻，将光刻版上条形脊波导的图形转移到光刻胶上；以光刻胶为掩膜，腐蚀掉部分磷化铟基外延片上没有被光刻胶保护的P面接触层部分，形成脊形波导；将带有光刻胶的磷化铟基外延片打胶去底膜，在其上溅射一层介质薄膜；剥离脊形波导上的光刻胶和介质薄膜，形成电注入窗口；在磷化铟基外延片正面溅射或蒸发金属，形成P面电极；将磷化铟基外延片的N型衬底减薄、抛光，在N型衬底上蒸发金属，形成N面电极，并合金，形成基片；将基片烧结在热沉上，并引线，完成制备。本发明的工艺简单，产品成品率高。 |
| 公开日期 | 2016-08-03 |
| 申请日期 | 2016-05-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85654]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨涛,许峰,罗帅,等. 磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法. CN105826814A. 2016-08-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。