光半导体装置的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松本启资 |
| 发表日期 | 2016-09-28 |
| 专利号 | CN105977787A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半导体装置的制造方法 |
| 英文摘要 | 防止在形成填埋型光元件的脊部时高台面脊型光元件的Al类材料飞溅附着至芯层的侧面，改善可靠性。在形成调制器的区域，形成在内侧具有镂空部(9)的第2绝缘膜(8)，将该第2绝缘膜用作掩模而进行蚀刻，从而在镂空部(9)的下方，在透明波导层(6)以及p-InP上包层(7)形成凹部(10)。接着，形成具有Al类材料的调制器层(11)，在将形成在凹部内的调制器层(11)利用第3绝缘膜(13)覆盖的状态下进行蚀刻而将除形成在凹部内的调制器层以外的调制器层(11)去除。在将形成在凹部内的调制器层(11)利用第4绝缘膜(14)覆盖的状态下进行蚀刻，形成半导体激光器的脊部，而不使形成在凹部内的调制器层(11)露出。 |
| 公开日期 | 2016-09-28 |
| 申请日期 | 2016-03-11 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85662]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本启资. 光半导体装置的制造方法. CN105977787A. 2016-09-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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