氮化物半导体激光装置以及提高其功能的方法
文献类型：专利
| 作者 | 罗伯特・德维林斯基; 勒曼・多拉津斯基; 耶日・加尔钦斯基; 莱谢克・P・谢尔斯普托夫斯基; 神原康雄 |
| 发表日期 | 2005-08-31 |
| 专利号 | CN1663088A |
| 著作权人 | 阿莫诺公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光装置以及提高其功能的方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种氮化物半导体激光装置，其在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间具备包含半导体活性层的共振器光放射端面上的窗口层，电共振器的放射发出端面至少具有比活性层更宽的能隙，为防止损伤电活性层，被在低温下形成的包含通式AIxGa1－x－yInyN所示单晶氮化物，此时0≤x+y≤1，0≤x≤1且0≤y≤1，特别包含通式AIxGa1－xN(0≤x≤1)所示氮化物的电窗口层覆盖。上述窗口层的形成显著提高本发明中氮化物激光装置的功能。 |
| 公开日期 | 2005-08-31 |
| 申请日期 | 2003-06-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85667]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 阿莫诺公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗伯特・德维林斯基,勒曼・多拉津斯基,耶日・加尔钦斯基,等. 氮化物半导体激光装置以及提高其功能的方法. CN1663088A. 2005-08-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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