一种DFB半导体激光器制备方法及激光器
文献类型：专利
| 作者 | 薛正群; 苏辉; 王凌华; 陈阳华; 林琦; 林中晞 |
| 发表日期 | 2017-05-31 |
| 专利号 | CN106785904A |
| 著作权人 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种DFB半导体激光器制备方法及激光器 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种DFB半导体激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤S11、制备基片：在衬底层上形成量子阱结构和外延结构，制成基片；步骤S12、制备脊型波导结构：在步骤S11制备的基片表面靠近出光端面的区域腐蚀形成脊型波导结构；步骤S13、制备腔外结构：在经过步骤S12的基片表面靠近脊型波导结构的区域形成刻蚀到衬底层的周期性均匀光栅；并在靠近背光端面的区域形成探测器，探测器靠近光栅。本发明还提出一种由该方法制得的激光器。本发明通过采用在激光器腔外单芯片集成了光栅和探测器，与常规的DFB半导体激光器相比，无需光栅的二次掩埋生长；对于器件应用来说无需外加的背光探测器芯片，能有效降低器件成本。 |
| 公开日期 | 2017-05-31 |
| 申请日期 | 2017-01-17 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85703]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 薛正群,苏辉,王凌华,等. 一种DFB半导体激光器制备方法及激光器. CN106785904A. 2017-05-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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