铥掺杂氟化铅晶体及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 尹继刚; 杭寅; 何晓明; 张连翰; 胡鹏超 |
| 发表日期 | 2011-01-05 |
| 专利号 | CN101935874A |
| 著作权人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 铥掺杂氟化铅晶体及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种铥掺杂的氟化铅晶体，该晶体分子式为TmxPbF2+3x，其中x为Tm3+的掺杂浓度，x＝0.1～10mol％。该晶体采用熔体法生长，包括下列步骤：①选定x的取值，在晶体生长的初始原料为TmF3和PbF2，根据分子式TmxPbF2+3x按化学计量比称量原料，其中x＝0.1～10mol％；②按上述比例称取的原料充分混合均匀，真空烘干并压制成块，放入石墨坩埚或铂金坩埚中，采用PbF2晶体作为籽晶，生长气氛为氩气或者CF4气体。该晶体具有长荧光寿命10ms、较大的吸收和发射截面，固晶体有望在全固态激光二极管泵浦的2μm波段激光器中应用。 |
| 公开日期 | 2011-01-05 |
| 申请日期 | 2010-09-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85727]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹继刚,杭寅,何晓明,等. 铥掺杂氟化铅晶体及其制备方法. CN101935874A. 2011-01-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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