半导体激光器件
文献类型：专利
| 作者 | 阿部真司; 八木哲哉; 宫下宗治; 西口晴美; 大仓裕二; 笠井信之; 田代贺久; 谷村纯二 |
| 发表日期 | 2003-01-22 |
| 专利号 | CN1392641A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器件 |
| 英文摘要 | 本发明的课题是在具有采用量子阱结构的无序化工艺的窗结构区的半导体激光器件中，得到高可靠性和良好温度特性的半导体激光器件。在具有借助于硅离子注入和其后的热处理使量子阱结构的有源层无序化而形成的窗结构区的半导体激光器件中，在窗结构区10a及其附近(上夹层9a)实际上不存在位错环。因此，能够防止由位错环引起的半导体激光器件的退化，能改善半导体激光器件的可靠性。 |
| 公开日期 | 2003-01-22 |
| 申请日期 | 2002-05-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85731]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿部真司,八木哲哉,宫下宗治,等. 半导体激光器件. CN1392641A. 2003-01-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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