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半导体激光元件和半导体激光装置

文献类型:专利

作者井上大二朗; 别所靖之; 畑雅幸
发表日期2007-09-05
专利号CN101030696A
著作权人三洋电机株式会社
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光元件和半导体激光装置
英文摘要本发明的半导体激光元件,包括:由沿规定方向延伸的凸部和设置在所述凸部的宽度方向外侧的平坦部构成,且在基板上形成的半导体层;在所述平坦部的上面和所述凸部的侧面上形成的绝缘层;以及由沿所述规定方向设置在所述凸部上的第一部分和包含自所述第一部分向所述凸部的宽度方向外侧突出的多个突出部的第二部分构成的电极,其中所述凸部是从所述电极注入电流的电流注入区域,所述多个突出部设置在所述绝缘层上,在所述多个突出部之间设置有露出所述绝缘层的间隙。
公开日期2007-09-05
申请日期2007-02-28
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85735]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三洋电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
井上大二朗,别所靖之,畑雅幸. 半导体激光元件和半导体激光装置. CN101030696A. 2007-09-05.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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