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半導体レーザ照射装置

文献类型:专利

作者桑田 靖章; 中山 秀生; 石井 亮次; 向山 尚孝
发表日期2009-10-01
专利号JP2009219816A
著作权人富士ゼロックス株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ照射装置
英文摘要(修正有) 【課題】レーザ光の照射精度を改善し、かつ小型化、低コスト化を図ることができる半導体レーザ照射装置を提供する。 【解決手段】半導体レーザ照射装置10は、VCSELパッケージ20と、VCSELパッケージ20から出射されたレーザ光を入射し、これを複数のレーザ素子に分割する光導波路30とを備えている。光導光路30は、屈折率が異なる複数の光学部材40、50とを含み、パッケージ20から入射したレーザ光Lを、傾斜面44、52、54で反射させ、複数に分割された出射光R1、R2を出射する。 【選択図】図1
公开日期2009-10-01
申请日期2008-03-19
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85747]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位富士ゼロックス株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
桑田 靖章,中山 秀生,石井 亮次,等. 半導体レーザ照射装置. JP2009219816A. 2009-10-01.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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