氮化物半导体激光元件
文献类型：专利
| 作者 | 佐野雅彦 |
| 发表日期 | 2003-03-19 |
| 专利号 | CN1404641A |
| 著作权人 | 日亚化学工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光元件 |
| 英文摘要 | 本发明氮化物半导体激光元件，为了提供能够精确控制p侧欧姆电极与p型接触层之间的接触宽度且可靠性高的氮化物半导体激光元件，备有，在基板上依次形成的n型氮化物半导体层、活性层及p型氮化物半导体层；该p型氮化物半导体层，包含最上层的p型接触层在内形成有一脊部，且该脊部上面的p型接触层上形成有一p侧欧姆电极；又形成有第1绝缘膜，其于脊部上面有开口部，并覆盖脊部的侧面及该侧面外侧附近；并形成p侧欧姆电极，其是介以开口部形成为与p型接触层相接；进一步形成第2绝缘膜于第1绝缘膜之上方。 |
| 公开日期 | 2003-03-19 |
| 申请日期 | 2001-02-15 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85752]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亚化学工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐野雅彦. 氮化物半导体激光元件. CN1404641A. 2003-03-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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