垂直共振腔面射型雷射（ＶＣＳＥＬ），ＶＣＳＥＬ陣列裝置，光學掃描設備及影像形成設備
文献类型：专利
| 作者 | 原敬; 上西盛聖 |
| 发表日期 | 2010-01-16 |
| 专利号 | TW201004076A |
| 著作权人 | 理光股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 垂直共振腔面射型雷射（ＶＣＳＥＬ），ＶＣＳＥＬ陣列裝置，光學掃描設備及影像形成設備 |
| 英文摘要 | 一種垂直共振腔面射型雷射（VCSEL）包含半導體基底、形成於半導體基底上的下反射鏡、及台面結構。台面結構包含主動層、包含電流侷限結構之選擇氧化層、及上反射鏡。下電極連接至半導體基底，以及，上電極連接至上反射鏡。當電流流經上電極與下電極之間時，VCSEL發射垂直於半導體基底的平面之雷射光。半導體基底相對於（100）平面傾斜。主動層包含量子井層、及間隔層器，量子井層具有相對於基底的壓縮變形。間隔器層相對於半導體基底具有壓縮變形或拉伸變形。 |
| 公开日期 | 2010-01-16 |
| 申请日期 | 2009-06-02 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85753]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 理光股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 原敬,上西盛聖. 垂直共振腔面射型雷射（ＶＣＳＥＬ），ＶＣＳＥＬ陣列裝置，光學掃描設備及影像形成設備. TW201004076A. 2010-01-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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