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利用Cr4+:YAG晶体各向异性特性调控被动调Q激光输出特性的激光器装置及方法

文献类型:专利

作者于欣; 马欲飞; 李旭东; 闫仁鹏; 樊荣伟; 彭江波; 陈德应; 杨超博; 白云昌
发表日期2014-08-13
专利号CN103986061A
著作权人哈尔滨工业大学
国家中国
文献子类发明申请
其他题名利用Cr4+:YAG晶体各向异性特性调控被动调Q激光输出特性的激光器装置及方法
英文摘要一种利用Cr4+:YAG晶体各向异性特性调控被动调Q激光输出特性的激光器装置及方法,所述装置包括沿光束传播方向依次设置的半导体激光泵浦源(1)、第一非球面透镜(2)、第二非球面透镜(3)、激光前腔镜(4)、激光晶体(5)、具有旋转调节功能的调整架(7)、Cr4+:YAG晶体(8)、激光输出镜(9),所述方法由以下步骤实现:步骤一、构建Cr4+:YAG晶体被动调Q激光输出;步骤二、通过旋转调节调整架,进而实现激光谐振腔内Cr4+:YAG晶体能量透过率的各向异性改变,最终实现被动调Q激光输出性能的调控。本发明通过利用Cr4+:YAG晶体各向异性的能量透过率来实现被动调Q激光输出性能的控制,是一种简单易行的办法。
公开日期2014-08-13
申请日期2014-05-24
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85770]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位哈尔滨工业大学
推荐引用方式
GB/T 7714
于欣,马欲飞,李旭东,等. 利用Cr4+:YAG晶体各向异性特性调控被动调Q激光输出特性的激光器装置及方法. CN103986061A. 2014-08-13.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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