半导体激光元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 太田将之; 桥本隆宏; 大柜义德; 辻井宏行; 喜根井聪文; 大岛升; 兼岩进治 |
| 发表日期 | 2007-10-31 |
| 专利号 | CN100346543C |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光元件，包括：第一导电型的覆层；有源层；第二导电型的第一覆层；由第二导电型的第二覆层和第二导电型的盖层构成的脊，它们从第一覆层侧开始按照这种顺序层叠在第二导电型的第一覆层上；形成在除脊顶部以外的脊侧面上的电介质膜；以及覆盖所述脊的金属电极层，其中盖层的底面宽度和第二覆层的顶面宽度几乎相等。由盖层构成的凸起的宽度可形成得比现有技术中的小，因此，可以减少厚膜电极形成之后出现在脊侧面上的空洞部。因此，激光振荡时产生的热量变得很容易散逸，并可获得激光特性和可靠性均提高的激光元件。 |
| 公开日期 | 2007-10-31 |
| 申请日期 | 2004-11-22 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85772]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 太田将之,桥本隆宏,大柜义德,等. 半导体激光元件及其制造方法. CN100346543C. 2007-10-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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