用于制作III族氮化物半导体激光器件的方法
文献类型：专利
| 作者 | 高木慎平 |
| 发表日期 | 2014-05-14 |
| 专利号 | CN103797667A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于制作III族氮化物半导体激光器件的方法 |
| 英文摘要 | 一种制作III族氮化物半导体激光器件的方法，其通过利用半极性面使能实现稳定地供应具有低激光阈值电流的激光腔镜。刀片（5g）下压第一区域（ER1），以保持第一区域（ER1）连同与第一区域（ER1）接触的保护片材（TF）的一部分一起被挤压在支撑部件（H2）和可移动部件（H1）之间，同时利用可移动部件（H1）增加在与第一区域（ER1）接触的保护片材（TF）的区域中产生的张力，直至在第一区域（ER1）的端面（EG1）处半极性主面（SF）相对于第二区域（ER2）的半极性主面（SF）倾斜了偏转角THETA，并且从而在与朝向第一区域（ER1）的刀片（5g）的行进方向相反的方向上在第一区域（ER1）中产生力。例如，角度ALPHA在71度至79度的范围内，偏转角THETA在11度至19度的范围内。 |
| 公开日期 | 2014-05-14 |
| 申请日期 | 2012-07-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85776]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高木慎平. 用于制作III族氮化物半导体激光器件的方法. CN103797667A. 2014-05-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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