激光二极管设备
文献类型：专利
| 作者 | 乌韦·施特劳斯; 森克·陶茨; 艾尔弗雷德·莱尔; 克莱门斯·菲尔海利希 |
| 发表日期 | 2014-12-24 |
| 专利号 | CN104247172A |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 激光二极管设备 |
| 英文摘要 | 提出一种激光二极管设备，所述激光二极管设备具有带有安装部件(11)的壳体(1)和在壳体(1)中在安装部件(11)上的基于氮化物-化合物导体材料的激光二极管芯片(2)，其中激光二极管芯片(2)借助于焊料层(3)直接安装在安装部件(11)上并且焊料层(3)具有大于或等于3μm的厚度。 |
| 公开日期 | 2014-12-24 |
| 申请日期 | 2013-03-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85782]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 乌韦·施特劳斯,森克·陶茨,艾尔弗雷德·莱尔,等. 激光二极管设备. CN104247172A. 2014-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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