面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大森 誠也 |
| 发表日期 | 2012-01-06 |
| 专利号 | JP4892941B2 |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 コンタクトメタルを保護することにより外部からの水の進入を効果的に防ぎ、高温多湿環境下でも光量低下の少ないVCSELを提供する。 【解決手段】 VCSEL100は、基板102上に形成された下部および上部半導体多層反射膜106、110と、それらの間に形成された活性層108と、電流狭窄層124と、上部半導体多層反射膜110上に形成され、上部半導体多層反射膜110と電気的に接続され、かつ活性層で発生されたレーザ光を出射する開口112aが形成されたコンタクトメタル112と、コンタクトメタル112の開口112aを覆う保護膜114と、ポストPの側面および頂部の一部を覆う層間絶縁膜116と、保護膜114および層間絶縁膜116によって露出されたコンタクトメタル112のコンタクトホール118を覆うp側電極120とを有する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2012-03-07 |
| 申请日期 | 2005-11-29 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85787]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大森 誠也. 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法. JP4892941B2. 2012-01-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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