氮化物半导体激光器以及外延基板
文献类型：专利
| 作者 | 京野孝史; 盐谷阳平; 住友隆道; 善积祐介; 上野昌纪; 梁岛克典; 田才邦彦; 中岛博 |
| 发表日期 | 2014-08-20 |
| 专利号 | CN103999305A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光器以及外延基板 |
| 英文摘要 | 提供能够缩小光封闭性的降低并且降低驱动电压的氮化物半导体激光器。在半导体区域(19)中，发光层(13)的活性层(25)、第一包覆区域(21)以及第二包覆区域(23)设置在主面(17a)上。第二包覆区域(23)包括第一p型III族氮化物半导体层(27)以及第二p型III族氮化物半导体层(29)。第一p型III族氮化物半导体层(27)由AlGaN层构成，第二p型III族氮化物半导体层(29)由与该AlGaN层不同的半导体构成。该AlGaN层内含各向异性的应变。第一p型III族氮化物半导体层(27)设置在第二p型III族氮化物半导体层(29)与活性层(25)之间。第二p型III族氮化物半导体层(29)的电阻率(ρ29)低于第一p型III族氮化物半导体层(27)的电阻率(ρ27)。 |
| 公开日期 | 2014-08-20 |
| 申请日期 | 2012-09-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85789]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 京野孝史,盐谷阳平,住友隆道,等. 氮化物半导体激光器以及外延基板. CN103999305A. 2014-08-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。