半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 石井 亮次; 植木 伸明; 中山 秀生 |
| 发表日期 | 2011-09-02 |
| 专利号 | JP4811116B2 |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 製造工程で生じる半導体レーザ素子の光出力特性のバラツキを調節し、歩止まりを向上させることを可能にする可変濃度フィルタを有する半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体レーザ装置10は、出射光が透過するパッケージのキャップ130の窓132に回転型濃度フィルタ150を設けている。回転型濃度フィルタ150を回転させることで、所望の光透過率の濃度フィルタ150a〜150dを窓132上に位置させる。これにより、製造工程で生じるVCSELの光出力特性のバラツキを調整することができ、歩止まりを改善することができる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2011-11-09 |
| 申请日期 | 2006-05-16 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85801]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石井 亮次,植木 伸明,中山 秀生. 半導体レーザ装置. JP4811116B2. 2011-09-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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