一种用于半导体光源的三维远场强度的快速表征装置
文献类型：专利
| 作者 | 刘晖; 袁治远; 崔龙; 王昊; 吴迪 ; 刘兴胜
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| 发表日期 | 2017-07-14 |
| 专利号 | CN104515592B |
| 著作权人 | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种用于半导体光源的三维远场强度的快速表征装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种用于半导体光源的三维远场强度的快速表征装置，能够探测半导体光源真实的远场三维强度分布。该快速表征装置主要包括光电探测器、固定支架、摆动组件及其驱动电机，所述摆动组件包括固定连接的摆动部和驱动部，驱动部安装于固定支架上；所述摆动部的主体为半圆弧，半圆弧上均匀布置有多个导光部件并汇集成束接至所述光电探测器，半圆弧面向待测光源能够以所述半圆弧的两端点连线为轴旋转180度。本发明结构简明，可靠性高，不存在旋转臂之间相互干涉现象，能够快速完成半导体激光器辐射强度真实的空间三维分布表征。 |
| 公开日期 | 2017-07-14 |
| 申请日期 | 2014-12-20 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85803]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘晖,袁治远,崔龙,等. 一种用于半导体光源的三维远场强度的快速表征装置. CN104515592B. 2017-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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