多光束半导体激光干涉纳米光刻技术及系统
文献类型：专利
| 作者 | 徐佳; 王作斌; 翁占坤; 宋正勋; 胡贞; 刘兰娇; 侯煜; 潘海艳 |
| 发表日期 | 2010-12-15 |
| 专利号 | CN101916042A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 多光束半导体激光干涉纳米光刻技术及系统 |
| 英文摘要 | 半导体激光干涉纳米光刻技术及系统的原理是：利用半导体脉冲激光，通过分束得到所需的两束或多束相干光，这些相干光经过耦合、扩束、整形，利用干涉场中光强的重新分布在材料表面形成周期性干涉图样。利用该系统进行光刻时，可以无需掩模而直接在光敏材料上进行干涉曝光然后进行刻蚀。由于利用光纤分束装置作为分光器，使得光路的复杂度大幅降低，系统更加稳定可靠，而且使得从两光束到多光束的选择更加灵活方便。 |
| 公开日期 | 2010-12-15 |
| 申请日期 | 2010-07-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85806]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐佳,王作斌,翁占坤,等. 多光束半导体激光干涉纳米光刻技术及系统. CN101916042A. 2010-12-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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