亚波长自聚焦的径向偏振垂直腔面发射激光器及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 宋国峰; 蔡利康; 王青; 韦欣 |
| 发表日期 | 2012-08-15 |
| 专利号 | CN102637999A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 亚波长自聚焦的径向偏振垂直腔面发射激光器及制备方法 |
| 英文摘要 | 一种亚波长自聚焦的径向偏振垂直腔面发射激光器，包括：一垂直腔面发射激光器，其一面制作有一P面电极，该P面电极的环形部分的中间为出光面；一N面电极，该N面电极制作在垂直腔面发射激光器的另一面；一介质膜，其制作在P面电极的出光面上；一环形光栅，其制作在介质膜上。本发明是通过亚波长环形金属光栅的偏振选择特性获得径向偏振输出，同时通过各环形槽的相干作用获得自聚焦亚波长光斑。 |
| 公开日期 | 2012-08-15 |
| 申请日期 | 2012-04-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85808]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋国峰,蔡利康,王青,等. 亚波长自聚焦的径向偏振垂直腔面发射激光器及制备方法. CN102637999A. 2012-08-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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