在半导体光学器件的端面上形成涂布膜的方法
文献类型：专利
| 作者 | 大西裕 |
| 发表日期 | 2012-08-22 |
| 专利号 | CN102646924A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 在半导体光学器件的端面上形成涂布膜的方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种在半导体光学器件的端面上形成涂布膜的方法。该方法包括下述步骤：通过在基板的主表面上形成多层半导体结构来制备外延晶片；在多层半导体结构上形成条状电极和焊盘，条状电极的纵向沿着第一方向延伸并且条状电极沿着与第一方向垂直的第二方向排列，焊盘分别与条状电极电连接；在多层半导体结构上形成凸出部分；通过沿着第二方向切割外延晶片来形成激光二极管(LD)线阵；将LD线阵排列在支撑表面上以便LD线阵的侧表面朝向该支撑表面的法向，并且将间隔物设置在LD线阵之间；以及在LD线阵的侧表面上形成涂布膜。凸出部分与基板的主表面相距的高度大于条状电极的高度。此外，激光二极管线阵具有至少一个凸出部分。 |
| 公开日期 | 2012-08-22 |
| 申请日期 | 2012-02-21 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85817]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大西裕. 在半导体光学器件的端面上形成涂布膜的方法. CN102646924A. 2012-08-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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