半导体激光装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宫崎启介 |
| 发表日期 | 2009-03-11 |
| 专利号 | CN101383482A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光装置，包括：基台，其具有彼此平行的前表面和后表面，并具有60％或更高的可见光透射率，所述后表面对应于相对面；连接电极，其形成于所述前表面上；以及半导体激光元件，其通过所述连接电极被封装在所述基台上，并且在平行于所述前表面的方向上发射激光束。 |
| 公开日期 | 2009-03-11 |
| 申请日期 | 2008-09-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85822]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宫崎启介. 半导体激光装置及其制造方法. CN101383482A. 2009-03-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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