一种多重提拉单晶硅的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 沈思情; 刘浦锋; 宋洪伟; 陈猛 |
| 发表日期 | 2016-08-24 |
| 专利号 | CN105887185A |
| 著作权人 | 上海超硅半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种多重提拉单晶硅的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种多重提拉单晶硅的制造方法，包括：采用CZ法拉制单晶硅棒，拉制完一根晶体后进行再加料继续拉制下一根，再加料时，使用高纯石英管输送原料，通过激光二极管阵列照射石英坩埚内中间的多晶硅块料，使之熔化时间加快，减少熔体内原料在高温下的熔化时间。所采用的激光二极管阵列安装在拉晶炉主腔体的窗口上，激光二极管的功率为5‑50瓦，波长在600‑900nm范围内。该制造方法可有效降低生产成本、提高生产效率和晶体品质。 |
| 公开日期 | 2016-08-24 |
| 申请日期 | 2016-05-30 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85826]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 上海超硅半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈思情,刘浦锋,宋洪伟,等. 一种多重提拉单晶硅的制造方法. CN105887185A. 2016-08-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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