集成型半导体激光元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 野村康彦; 别所靖之; 畑雅幸; 山口勤 |
| 发表日期 | 2005-10-05 |
| 专利号 | CN1677779A |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 集成型半导体激光元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 提高集成GaN类半导体激光元件与GaP类半导体激光元件的集成型半导体激光元件的激光特性，并实现长寿命化。在接合形成于GaN基板的由氮化物类半导体激光器结构组成的LD1晶片与形成于GaAs基板的由镓磷类半导体激光器结构组成的LD1晶片与形成于GaAs基板的由镓磷类半导体激光器结构组成的LD2晶片的接合工序前，通过蚀刻加工形成氮化物类半导体激光器结构的共振器端面。镓磷类半导体激光器结构的共振器端面在接合工序后通过剪切加工形成。氮化物类半导体激光元件的共振器端面与镓磷类半导体激光元件的共振器端面在共振器的延长方向错位的状态下接合。 |
| 公开日期 | 2005-10-05 |
| 申请日期 | 2005-02-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85844]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野村康彦,别所靖之,畑雅幸,等. 集成型半导体激光元件及其制造方法. CN1677779A. 2005-10-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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