半导体激光器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 永井丰; 岛显洋 |
| 发表日期 | 1994-10-19 |
| 专利号 | CN1093836A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器包含：第一导电型半导体衬底：设置在衬底上的第一导电型下包层；设置在下包层上的量子阱结构层；设置在量子阱结构层上的第二导电型上包层；形成在上包层上并包含沿激光器谐振腔长度方向延伸而不达到半导体激光器谐振腔两个小端面的条形第二导电型半导体的脊；通过离子注入杂质在谐振腔两个小端面附近量子阱结构层的窗口结构中形成无序化区；以及设置在上包层上的第一导电型电流阻塞层。 |
| 公开日期 | 1994-10-19 |
| 申请日期 | 1993-12-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85866]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 永井丰,岛显洋. 半导体激光器及其制作方法. CN1093836A. 1994-10-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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