一种改善高功率激光二极管阵列相干性的装置
文献类型：专利
| 作者 | 苏宙平; 纪志成; 朱焯炜; 阙立志; 张秀梅 |
| 发表日期 | 2012-05-02 |
| 专利号 | CN102437509A |
| 著作权人 | 江南大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种改善高功率激光二极管阵列相干性的装置 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种改善功率激光二极管阵列相干性的装置，其包括激光二极管阵列及快轴准直镜；快轴准直镜对应于与激光二极管阵列相连的另一侧设有第一透镜，第一透镜的后上方形成反馈支路，第一透镜的后下方形成输出支路；扩束反馈支路包括第二透镜及反馈元件；输出支路包括平面反射镜及准直透镜；激光二极管阵列向上发出光线的发散角经第一透镜及第二透镜压缩后，并通过反馈元件反馈到激光二极管阵列的有源区，使得激光二极管阵列内发光单元相互耦合后输出相干光；激光二极管阵列发出的相干光通过平面反射镜反射及准直透镜准直后输出。本发明能够改善高功率激光二极管阵列相干性，扩大了激光二极管阵列的使用范围，安全可靠。 |
| 公开日期 | 2012-05-02 |
| 申请日期 | 2011-12-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85875]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 江南大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 苏宙平,纪志成,朱焯炜,等. 一种改善高功率激光二极管阵列相干性的装置. CN102437509A. 2012-05-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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