半导体激光装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鹿岛孝之; 牧田幸治; 吉川兼司 |
| 发表日期 | 2007-10-03 |
| 专利号 | CN101047302A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 在一种能高功率输出的单片双波长半导体激光装置中，通过共同的步骤为每个激光器单元形成窗口结构，由此提高了该装置的可靠性。该半导体激光装置具有单片集成在n型半导体衬底101上的红外激光器单元110和红色激光器单元120。红外和红色激光器单元110和120的每一个都具有在每个谐振器端面上由Zn扩散形成的脊形波导和窗口结构。红外和红色激光器单元110和120包括在各自波导脊上的p型接触层109和119。p型接触层109薄于p型接触层119。 |
| 公开日期 | 2007-10-03 |
| 申请日期 | 2006-03-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85878]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鹿岛孝之,牧田幸治,吉川兼司. 半导体激光装置及其制造方法. CN101047302A. 2007-10-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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