半导体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 太田将之; 兼岩进治; 大岛昇 |
| 发表日期 | 2004-04-07 |
| 专利号 | CN1487637A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种制造半导体激光器的方法，包括以下步骤：在层叠了至少一层发光层的半导体晶片的上表面上形成一电极图形；将所得到的半导体晶片以预定宽度切割成多条半导体条；和把所述的半导体条截断成适当尺寸，以形成半导体激光器，所述的半导体激光器具有一对平行于芯片宽度方向相互间隔一预定的谐振器长的解理面，其中在形成电极图形步骤中所形成的电极图形至少在谐振器长度方向上是连续的。 |
| 公开日期 | 2004-04-07 |
| 申请日期 | 2003-09-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85886]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 太田将之,兼岩进治,大岛昇. 半导体激光器及其制造方法. CN1487637A. 2004-04-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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