激光二极管阵列和激光二极管单元
文献类型：专利
| 作者 | 若林和弥; 大野智辉 |
| 发表日期 | 2013-09-18 |
| 专利号 | CN103311806A |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 激光二极管阵列和激光二极管单元 |
| 英文摘要 | 本公开涉及激光二极管阵列和激光二极管单元，其中，一种激光二极管阵列包括：热消散器；彼此独立地设置在热消散器上的多个底座；以及多个激光二极管器件，包括具有不同振荡波长的两种以上激光二极管器件，激光二极管器件被设置在各自的底座上，并且彼此被电连接。 |
| 公开日期 | 2013-09-18 |
| 申请日期 | 2013-03-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85887]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 若林和弥,大野智辉. 激光二极管阵列和激光二极管单元. CN103311806A. 2013-09-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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