半导体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 别所靖之; 畑雅幸; 井上大二朗; 山口勤 |
| 发表日期 | 2009-02-11 |
| 专利号 | CN100461564C |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 在蓝紫色半导体激光元件的上面形成p电极，在其下面形成n电极。在红色半导体激光元件的上面形成n电极，在其下面形成p电极。在红外半导体激光元件的上面形成n电极，在其下面形成p电极。在蓝紫色半导体激光元件的p电极的上面的一部分上形成焊锡膜。在p电极的上面，以规定的间隔形成两个焊锡膜。由此，p电极的一部分露出。再者，蓝紫色半导体激光元件、红色半导体激光元件以及红外半导体激光元件的p电极成为共用的电极。 |
| 公开日期 | 2009-02-11 |
| 申请日期 | 2005-03-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85896]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 别所靖之,畑雅幸,井上大二朗,等. 半导体激光装置. CN100461564C. 2009-02-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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