激光二极管
文献类型：专利
| 作者 | 增井勇志; 前田修; 幸田伦太郎; 荒木田孝博; 城岸直辉; 近藤幸一 |
| 发表日期 | 2011-01-19 |
| 专利号 | CN101950923A |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 激光二极管 |
| 英文摘要 | 一种激光二极管，包括：以如下顺序的第一多层膜反射镜、有源层及第二多层膜反射镜；以及第一氧化窄化层和第二氧化窄化层。与第二氧化窄化层相比，第一氧化窄化层靠近有源层形成，所述第一氧化窄化层包括平面内中间区的第一未氧化区，并且包括第一未氧化区外围的第一氧化区。第二氧化窄化层包括在面向第一未氧化区的区域中的直径小于所述第一未氧化区的第二未氧化区，包括在不面向第一未氧化区的区域中的第三未氧化区，并且包括在第二未氧化区和第三未氧化区外围的第二氧化区。 |
| 公开日期 | 2011-01-19 |
| 申请日期 | 2010-07-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85924]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 增井勇志,前田修,幸田伦太郎,等. 激光二极管. CN101950923A. 2011-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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