半导体激光器件
文献类型：专利
| 作者 | 渡边将司; 本多正治; 岩村康弘; 清水源; 井上哲郎 |
| 发表日期 | 2005-12-07 |
| 专利号 | CN1706081A |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器件 |
| 英文摘要 | 提供了一种半导体激光器件(1)，包括在气密密封的封装(2)之中的半导体激光器元件(3)，所述半导体激光器元件具有由基于AlGaAs的晶体、基于AlGaInP的晶体、基于AlGaN的晶体、或基于InGaN的晶体组成的有源区。封装(2)中的环境气体是含氧的气体。半导体激光器元件(3)在激光发射表面具有介电氧化膜。环境气体是氧和氮的混合物，并且氧的含量被设定在20％或更高。 |
| 公开日期 | 2005-12-07 |
| 申请日期 | 2004-04-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85943]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡边将司,本多正治,岩村康弘,等. 半导体激光器件. CN1706081A. 2005-12-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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