半导体发光元件
文献类型：专利
| 作者 | 大野彰仁; 竹见政义; 富田信之 |
| 发表日期 | 2008-04-02 |
| 专利号 | CN101154796A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体发光元件 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种初始恶化率较小、长寿命的半导体发光元件。半导体激光器元件(101)具有夹持在n型覆盖层(104)与p型覆盖层(109)之间的活性层(106)。p型覆盖层(109)含有镁作为杂质，在活性层(106)与p型覆盖层(109)之间设置了由以InxAlyGa1－x－yN(其中，x≥0、y≥0、x+y＜1)表示的氮化物系化合物半导体构成的n型防扩散层(107)。n型防扩散层(107)中的n型杂质的掺杂浓度优选为5×1017cm－3以上且5×1019cm－3以下。 |
| 公开日期 | 2008-04-02 |
| 申请日期 | 2007-09-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85944]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大野彰仁,竹见政义,富田信之. 半导体发光元件. CN101154796A. 2008-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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