垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构
文献类型：专利
| 作者 | 张建心; 刘安金; 江斌; 付非亚; 渠红伟; 郑婉华 |
| 发表日期 | 2011-08-24 |
| 专利号 | CN102163802A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，公开了一种垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构，该结构包括一个二维准周期光子晶体结构，该二维准周期光子晶体结构采用在垂直腔面发射激光器顶部半导体材料上刻蚀的圆形孔或椭圆形孔，且孔内填充低折射率材料。利用本发明，可以通过耦合波实现光腔之间的并行耦合，提高耦合效率，实现对远场发散角的调制。 |
| 公开日期 | 2011-08-24 |
| 申请日期 | 2011-03-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85950]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张建心,刘安金,江斌,等. 垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构. CN102163802A. 2011-08-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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